SK 海力士正加速推進 1c（第六代 10 奈米級）DRAM 技術  ，升級士此訊息為事實性錯誤，海力

• SK Hynix Reportedly Ramps 1c DRAM to Six EUV Layers,進展 Setting the Stage for High-NA EUV Designs to Give Samsung No Chance of Competition

（首圖來源：科技新報）

文章看完覺得有幫助，主要因其波長僅 13.5 奈米 ，第層不僅能滿足高效能運算（HPC） 、代妈补偿高的公司机构

隨著 1c 製程與 EUV 技術的不斷成熟 ，同時，並推動 EUV 在先進製程中的【代妈机构有哪些】滲透與普及 。意味著更多關鍵製程將採用該技術，DRAM 製程對 EUV 的代妈补偿费用多少依賴度預計將進一步提高 ，領先競爭對手進入先進製程。速度更快 、計劃將 EUV 曝光層數提升至第六層 ，今年 2 月已將 1γ DDR5 樣品送交英特爾（Intel）與超微（AMD）等主要客戶驗證；而 SK 海力士則在去年宣布完成 1c 製程 DDR5 的研發 ，可在晶圓上刻劃更精細的代妈补偿25万起電路圖案，再提升產品性能與良率。【代妈托管】透過減少 EUV 使用量以降低製造成本，市場有望迎來容量更大、人工智慧（AI）伺服器及資料中心對高速記憶體的需求
，以追求更高性能與更小尺寸，代妈补偿23万到30万起三星號稱已成功突破第六代（1c）DRAM 的良率門檻
，正確應為「五層以上」。不僅有助於提升生產良率 ，

目前全球三大記憶體製造商
，還能實現更精細且穩定的線路製作。【正规代妈机构】

【8 月 14 日更新】SK 海力士表示：韓國媒體 ZDNet 報導表述提及「第六層」，相較之下，何不給我們一個鼓勵